提 供 商：
復(fù)納科學(xué)儀器（上海）有限公司資料大?。?/p>
圖片類型：
資料類型：
PDF下載次數(shù)：
158點擊下載：
文件下載詳細(xì)介紹：
背散射電子（Backscattered electron -BSE）圖像會體現(xiàn)有關(guān)樣品材料襯度的信息。利用背散射電子探測器（BSD）獲取樣品圖像的質(zhì)量會受到很多因素的影響，如樣品的電導(dǎo)率，形貌，樣品成分，BSD探測器類型以及電子器件等。
在本篇博客中，將使用同一套成像系統(tǒng)、*相同的探測器對同一個樣品進(jìn)行控制變量實驗，分析影響背散射電子圖像質(zhì)量的因素，這些因素包括采樣幀數(shù)、束流強(qiáng)度，以及工作距離、樣品倉真空度等。
掃描電鏡的背散射電子成像
背散射電子一種電子槍中電子與樣品表面原子的原子核發(fā)生彈性散射進(jìn)而被收集到的高能量反射電子。
首先，背散射電子（BSE）圖像的質(zhì)量當(dāng)然取決于探測器的類型及其電路設(shè)計，還取決于樣品的類型以及導(dǎo)電性的好壞。但是如果討論使用一臺探頭型號固定的掃描電鏡觀察特定樣品（這意味著探頭、鏡筒、樣品導(dǎo)電率不能改變），那么還有哪些因素會決定背散射圖像的質(zhì)量呢？
傳真：
地址：上海市閔行區(qū)虹橋鎮(zhèn)申濱路 88 號上海虹橋麗寶廣場 T5，705 室
版權(quán)所有 © 2018 復(fù)納科學(xué)儀器（上海）有限公司 備案號：滬ICP備12015467號-2 管理登陸 技術(shù)支持：化工儀器網(wǎng) GoogleSitemap
