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掃描電鏡工作原理:背散射電子的檢測(cè)

 發(fā)布時(shí)間:2018/7/12 點(diǎn)擊量:2840
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詳細(xì)介紹:

背散射電子(BSE)是由入射電子束與原子核的彈性散射或非彈性散射所產(chǎn)生的高能電子。背散射電子(BSE)的產(chǎn)率,即出射的背散射電子(BSE)數(shù)與入射電子數(shù)之比,取決于樣品平均原子序數(shù):平均原子序數(shù)越高,或元素越重,襯度就越亮。在飛納臺(tái)式掃描電鏡中,背散射電子是通過(guò)放置在樣品上方的四分割半導(dǎo)體探測(cè)器檢測(cè)到的。在這篇博客中,將解釋什么是半導(dǎo)體探測(cè)器,以及如何在掃描電子顯微鏡下檢測(cè)背散射電子。

 

背散射電子的發(fā)射

 

當(dāng)入射電子擊中樣品表面時(shí),入射電子與原子的原子核相互作用,并偏離其軌跡,如圖1所示。

 

圖1:入射電子與原子核相互作用后散射的示意圖

 

如果條件合適,入射電子可以被散射回來(lái),并脫離樣品表面,保持其高能量。一般來(lái)說(shuō),較重的元素,因?yàn)樗鼈兊脑雍溯^大,可以比較輕的元素更強(qiáng)烈地偏轉(zhuǎn)入射電子。因此,在掃描電鏡圖像中,像銀這樣的重元素(原子序數(shù)為47)與原子序數(shù)為14的輕元素(如硅)相比顯得更加明亮,因?yàn)楦嗟谋成⑸潆娮訌臉悠繁砻姘l(fā)射出來(lái)。

 

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