高分辨率臺式掃描電鏡中有兩種常用基本信號，分別是二次電子(SE)和背散射電子(BSE)，對于很多高分辨率臺式掃描電鏡使用者而言，二次電子可以用來表征形貌，背散射電子可以進行原子序數表征已經是基本的常識。然而，二次電子、背散射電子與襯度的關系并非如此簡單。今天，我們就來深入的了解一下SE、BSE的細分類型，各自的特點，以及它們和襯度之間的關系。
二次電子是入射電子與試樣中弱束縛價電子產生非彈性散射而發(fā)射的電子，一般能量小于50eV，產生深度在試樣表面10nm以內。二次電子的產額在很大程度上取決于試樣的表面形貌，因此這也是為什么在很多情況下大家把SE圖像等同于形貌像。然而，這種說法并不嚴謹。
二次電子的產額其實和成分也有很大的關系，尤其是在低原子序數(Z<20)時，二次電子也能夠清晰的反映出成分之間的差異。SE像不但可以區(qū)分出碳和銀的成分差異，而且相對BSE圖像來說具有更多的形貌細節(jié)。所以，如果對于低原子序數試樣，或者原子序數差異非常大時，若要反映成分襯度，并不一定非要用BSE像，SE像有時也可獲得上佳的效果。
除了成分襯度外，SE還具有較好的電位襯度，在正電位區(qū)域SE因為收到吸引而使得產額降低，圖像偏暗，反之負電位區(qū)域SE像就會偏亮。而BSE因為本身能量高，所以產額受電位影響小，因此BSE像的電位襯度要比SE小的多。
另外，如果遇上試樣的導電性不好，出現荷電效應或者是局部荷電，這也可以看成是一種電位襯度。這也是當出現荷電現象的情況下，相對SE圖像受到的影響大，BSE圖像受影響則比較小。這也是為什么在發(fā)生荷電現象的情況下，有時可以用BSE像代替SE像來進行觀察。
至于通道襯度，一般來說因為需要將樣品進行拋光，表面非常平整，這類樣品基本上沒有太多的形貌襯度。SE雖然也能看出不同的取向，但是相比BSE來說則要弱很多，所以一般我們都是用BSE圖像來進行通道襯度的觀察。
SE和襯度的關系，總結來說就是SE的產額以形貌為主，成分為輔，容易受到電位的影響，取向帶來的差異遠不及BSE。
在考慮具體使用高分辨率臺式掃描電鏡的哪種信號觀察樣品的時候，SE和BSE特點剛好互補，并沒有孰優(yōu)孰劣之分，需要根據實際關注點來選擇正確的信號進行成像。
